Tunnistusetäisyys: 0.375" (9.53mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.080" (2.03mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.375" (9.53mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Liquid, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.160" (4.06mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.591" (15mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.122" (3.1mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,
Tunnistusetäisyys: 0.110" (2.8mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.134" (3.4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V,
Tunnistusetäisyys: 0.020" (0.5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: NPN - Open Collector/Light-ON, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 3mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 1.6mm, Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 35mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
